Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориентированное нарастание кристаллов одного минерала на поверхность другого. При этом если на грань кристалла нарастает несколько индивидов, то их кристаллографическая ориентировка оказывается одинаковой. Основным условием существования эпитаксических пар служит сходство кристаллических структур, выраженное в соразмерности отдельных атомных сеток (слоёв), по которым происходит срастание. Эпитаксия чаще всего имеет место при сравнительно небольших (10-12 %) различиях параметров решёток. Наиболее известны примеры эпитаксии в виде нарастания кристаллов рутила на гематит—так называемые «сагенитовые треугольники». (Видео 1,2). Если происходит ориентированное нарастание кристаллов одного и того же минерала, такое явление называется автоэпитаксией. Примером может служить скипетровидный кристалл кварца, где на призматическом кристалле первого поколения образуется новый индивид другой формы, а часто и другой окраски, что связано с изменением условий кристаллизации. Следует отметить, что при автоэпитаксическом срастании структура одного индивида является продолжением структуры другого. Примером таких образований могут служить, так называемые «скипетры» из турмалинов или кварца. (Видео 3,4).

Эпитаксия (от греч. эпи — на, таксис — упорядоченность) — это закономерно ориент…